IPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD30N06S2-15
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1485pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21904 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD30N06S2-15
IPD30N06S2-15 Elektronické komponenty
IPD30N06S2-15 Odbyt
IPD30N06S2-15 Dodavatel
IPD30N06S2-15 Distributor
IPD30N06S2-15 Datová tabulka
IPD30N06S2-15 Fotky
IPD30N06S2-15 Cena
IPD30N06S2-15 Nabídka
IPD30N06S2-15 Nejnižší cena
IPD30N06S2-15 Vyhledávání
IPD30N06S2-15 Nákup
IPD30N06S2-15 Chip