Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD26N06S2L35ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD26N06S2L35ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
621pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29507 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD26N06S2L35ATMA1
IPD26N06S2L35ATMA1 Elektronické komponenty
IPD26N06S2L35ATMA1 Odbyt
IPD26N06S2L35ATMA1 Dodavatel
IPD26N06S2L35ATMA1 Distributor
IPD26N06S2L35ATMA1 Datová tabulka
IPD26N06S2L35ATMA1 Fotky
IPD26N06S2L35ATMA1 Cena
IPD26N06S2L35ATMA1 Nabídka
IPD26N06S2L35ATMA1 Nejnižší cena
IPD26N06S2L35ATMA1 Vyhledávání
IPD26N06S2L35ATMA1 Nákup
IPD26N06S2L35ATMA1 Chip