Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
Číslo dílu
IPD25N06S4L30ATMA2
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3-11
Ztráta energie (max.)
29W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 8µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5908 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2 Elektronické komponenty
IPD25N06S4L30ATMA2 Odbyt
IPD25N06S4L30ATMA2 Dodavatel
IPD25N06S4L30ATMA2 Distributor
IPD25N06S4L30ATMA2 Datová tabulka
IPD25N06S4L30ATMA2 Fotky
IPD25N06S4L30ATMA2 Cena
IPD25N06S4L30ATMA2 Nabídka
IPD25N06S4L30ATMA2 Nejnižší cena
IPD25N06S4L30ATMA2 Vyhledávání
IPD25N06S4L30ATMA2 Nákup
IPD25N06S4L30ATMA2 Chip