Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
Číslo dílu
IPD20N03L G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
695pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40717 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD20N03L G
IPD20N03L G Elektronické komponenty
IPD20N03L G Odbyt
IPD20N03L G Dodavatel
IPD20N03L G Distributor
IPD20N03L G Datová tabulka
IPD20N03L G Fotky
IPD20N03L G Cena
IPD20N03L G Nabídka
IPD20N03L G Nejnižší cena
IPD20N03L G Vyhledávání
IPD20N03L G Nákup
IPD20N03L G Chip