IPD135N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 45A
Číslo dílu
IPD135N08N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
-
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22208 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD135N08N3GATMA1
IPD135N08N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPD135N08N3GATMA1 Odbyt
IPD135N08N3GATMA1 Dodavatel
IPD135N08N3GATMA1 Distributor
IPD135N08N3GATMA1 Datová tabulka
IPD135N08N3GATMA1 Fotky
IPD135N08N3GATMA1 Cena
IPD135N08N3GATMA1 Nabídka
IPD135N08N3GATMA1 Nejnižší cena
IPD135N08N3GATMA1 Vyhledávání
IPD135N08N3GATMA1 Nákup
IPD135N08N3GATMA1 Chip