Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Číslo dílu
IPD135N03LGXT
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53588 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD135N03LGXT
IPD135N03LGXT Elektronické komponenty
IPD135N03LGXT Odbyt
IPD135N03LGXT Dodavatel
IPD135N03LGXT Distributor
IPD135N03LGXT Datová tabulka
IPD135N03LGXT Fotky
IPD135N03LGXT Cena
IPD135N03LGXT Nabídka
IPD135N03LGXT Nejnižší cena
IPD135N03LGXT Vyhledávání
IPD135N03LGXT Nákup
IPD135N03LGXT Chip