IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
Číslo dílu
IPD12N03LB G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16916 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD12N03LB G
IPD12N03LB G Elektronické komponenty
IPD12N03LB G Odbyt
IPD12N03LB G Dodavatel
IPD12N03LB G Distributor
IPD12N03LB G Datová tabulka
IPD12N03LB G Fotky
IPD12N03LB G Cena
IPD12N03LB G Nabídka
IPD12N03LB G Nejnižší cena
IPD12N03LB G Vyhledávání
IPD12N03LB G Nákup
IPD12N03LB G Chip