IPD12CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Číslo dílu
IPD12CN10NGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51670 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD12CN10NGATMA1
IPD12CN10NGATMA1 Elektronické komponenty
IPD12CN10NGATMA1 Odbyt
IPD12CN10NGATMA1 Dodavatel
IPD12CN10NGATMA1 Distributor
IPD12CN10NGATMA1 Datová tabulka
IPD12CN10NGATMA1 Fotky
IPD12CN10NGATMA1 Cena
IPD12CN10NGATMA1 Nabídka
IPD12CN10NGATMA1 Nejnižší cena
IPD12CN10NGATMA1 Vyhledávání
IPD12CN10NGATMA1 Nákup
IPD12CN10NGATMA1 Chip