Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Číslo dílu
IPD122N10N3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18524 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD122N10N3GBTMA1 Odbyt
IPD122N10N3GBTMA1 Dodavatel
IPD122N10N3GBTMA1 Distributor
IPD122N10N3GBTMA1 Datová tabulka
IPD122N10N3GBTMA1 Fotky
IPD122N10N3GBTMA1 Cena
IPD122N10N3GBTMA1 Nabídka
IPD122N10N3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD122N10N3GBTMA1 Vyhledávání
IPD122N10N3GBTMA1 Nákup
IPD122N10N3GBTMA1 Chip