IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Číslo dílu
IPD110N12N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
120V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 83µA (Typ)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53999 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPD110N12N3GATMA1 Odbyt
IPD110N12N3GATMA1 Dodavatel
IPD110N12N3GATMA1 Distributor
IPD110N12N3GATMA1 Datová tabulka
IPD110N12N3GATMA1 Fotky
IPD110N12N3GATMA1 Cena
IPD110N12N3GATMA1 Nabídka
IPD110N12N3GATMA1 Nejnižší cena
IPD110N12N3GATMA1 Vyhledávání
IPD110N12N3GATMA1 Nákup
IPD110N12N3GATMA1 Chip