Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Číslo dílu
IPD10N03LA G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1358pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD10N03LA G
IPD10N03LA G Elektronické komponenty
IPD10N03LA G Odbyt
IPD10N03LA G Dodavatel
IPD10N03LA G Distributor
IPD10N03LA G Datová tabulka
IPD10N03LA G Fotky
IPD10N03LA G Cena
IPD10N03LA G Nabídka
IPD10N03LA G Nejnižší cena
IPD10N03LA G Vyhledávání
IPD10N03LA G Nákup
IPD10N03LA G Chip