IPD105N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Číslo dílu
IPD105N03LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
38W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34722 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD105N03LGATMA1
IPD105N03LGATMA1 Elektronické komponenty
IPD105N03LGATMA1 Odbyt
IPD105N03LGATMA1 Dodavatel
IPD105N03LGATMA1 Distributor
IPD105N03LGATMA1 Datová tabulka
IPD105N03LGATMA1 Fotky
IPD105N03LGATMA1 Cena
IPD105N03LGATMA1 Nabídka
IPD105N03LGATMA1 Nejnižší cena
IPD105N03LGATMA1 Vyhledávání
IPD105N03LGATMA1 Nákup
IPD105N03LGATMA1 Chip