IPD096N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 73A
Číslo dílu
IPD096N08N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.6 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47272 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD096N08N3GATMA1
IPD096N08N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPD096N08N3GATMA1 Odbyt
IPD096N08N3GATMA1 Dodavatel
IPD096N08N3GATMA1 Distributor
IPD096N08N3GATMA1 Datová tabulka
IPD096N08N3GATMA1 Fotky
IPD096N08N3GATMA1 Cena
IPD096N08N3GATMA1 Nabídka
IPD096N08N3GATMA1 Nejnižší cena
IPD096N08N3GATMA1 Vyhledávání
IPD096N08N3GATMA1 Nákup
IPD096N08N3GATMA1 Chip