Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
Číslo dílu
IPD090N03LGBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33049 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD090N03LGBTMA1
IPD090N03LGBTMA1 Elektronické komponenty
IPD090N03LGBTMA1 Odbyt
IPD090N03LGBTMA1 Dodavatel
IPD090N03LGBTMA1 Distributor
IPD090N03LGBTMA1 Datová tabulka
IPD090N03LGBTMA1 Fotky
IPD090N03LGBTMA1 Cena
IPD090N03LGBTMA1 Nabídka
IPD090N03LGBTMA1 Nejnižší cena
IPD090N03LGBTMA1 Vyhledávání
IPD090N03LGBTMA1 Nákup
IPD090N03LGBTMA1 Chip