Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD088N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Číslo dílu
IPD088N04LGBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20300 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD088N04LGBTMA1
IPD088N04LGBTMA1 Elektronické komponenty
IPD088N04LGBTMA1 Odbyt
IPD088N04LGBTMA1 Dodavatel
IPD088N04LGBTMA1 Distributor
IPD088N04LGBTMA1 Datová tabulka
IPD088N04LGBTMA1 Fotky
IPD088N04LGBTMA1 Cena
IPD088N04LGBTMA1 Nabídka
IPD088N04LGBTMA1 Nejnižší cena
IPD088N04LGBTMA1 Vyhledávání
IPD088N04LGBTMA1 Nákup
IPD088N04LGBTMA1 Chip