IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Číslo dílu
IPD082N10N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39203 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD082N10N3GATMA1
IPD082N10N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPD082N10N3GATMA1 Odbyt
IPD082N10N3GATMA1 Dodavatel
IPD082N10N3GATMA1 Distributor
IPD082N10N3GATMA1 Datová tabulka
IPD082N10N3GATMA1 Fotky
IPD082N10N3GATMA1 Cena
IPD082N10N3GATMA1 Nabídka
IPD082N10N3GATMA1 Nejnižší cena
IPD082N10N3GATMA1 Vyhledávání
IPD082N10N3GATMA1 Nákup
IPD082N10N3GATMA1 Chip