Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Číslo dílu
IPD050N10N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 84µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48065 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD050N10N5ATMA1
IPD050N10N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPD050N10N5ATMA1 Odbyt
IPD050N10N5ATMA1 Dodavatel
IPD050N10N5ATMA1 Distributor
IPD050N10N5ATMA1 Datová tabulka
IPD050N10N5ATMA1 Fotky
IPD050N10N5ATMA1 Cena
IPD050N10N5ATMA1 Nabídka
IPD050N10N5ATMA1 Nejnižší cena
IPD050N10N5ATMA1 Vyhledávání
IPD050N10N5ATMA1 Nákup
IPD050N10N5ATMA1 Chip