Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Číslo dílu
IPD048N06L3GBTMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO252-3
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17288 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPD048N06L3GBTMA1
IPD048N06L3GBTMA1 Elektronické komponenty
IPD048N06L3GBTMA1 Odbyt
IPD048N06L3GBTMA1 Dodavatel
IPD048N06L3GBTMA1 Distributor
IPD048N06L3GBTMA1 Datová tabulka
IPD048N06L3GBTMA1 Fotky
IPD048N06L3GBTMA1 Cena
IPD048N06L3GBTMA1 Nabídka
IPD048N06L3GBTMA1 Nejnižší cena
IPD048N06L3GBTMA1 Vyhledávání
IPD048N06L3GBTMA1 Nákup
IPD048N06L3GBTMA1 Chip