IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Číslo dílu
IPB80N06S3L-06
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9417pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43168 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB80N06S3L-06
IPB80N06S3L-06 Elektronické komponenty
IPB80N06S3L-06 Odbyt
IPB80N06S3L-06 Dodavatel
IPB80N06S3L-06 Distributor
IPB80N06S3L-06 Datová tabulka
IPB80N06S3L-06 Fotky
IPB80N06S3L-06 Cena
IPB80N06S3L-06 Nabídka
IPB80N06S3L-06 Nejnižší cena
IPB80N06S3L-06 Vyhledávání
IPB80N06S3L-06 Nákup
IPB80N06S3L-06 Chip