Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Číslo dílu
IPB80N06S3-07
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7768pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39079 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB80N06S3-07
IPB80N06S3-07 Elektronické komponenty
IPB80N06S3-07 Odbyt
IPB80N06S3-07 Dodavatel
IPB80N06S3-07 Distributor
IPB80N06S3-07 Datová tabulka
IPB80N06S3-07 Fotky
IPB80N06S3-07 Cena
IPB80N06S3-07 Nabídka
IPB80N06S3-07 Nejnižší cena
IPB80N06S3-07 Vyhledávání
IPB80N06S3-07 Nákup
IPB80N06S3-07 Chip