Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB80N06S2L11ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Číslo dílu
IPB80N06S2L11ATMA2
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 93µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2075pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36443 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB80N06S2L11ATMA2
IPB80N06S2L11ATMA2 Elektronické komponenty
IPB80N06S2L11ATMA2 Odbyt
IPB80N06S2L11ATMA2 Dodavatel
IPB80N06S2L11ATMA2 Distributor
IPB80N06S2L11ATMA2 Datová tabulka
IPB80N06S2L11ATMA2 Fotky
IPB80N06S2L11ATMA2 Cena
IPB80N06S2L11ATMA2 Nabídka
IPB80N06S2L11ATMA2 Nejnižší cena
IPB80N06S2L11ATMA2 Vyhledávání
IPB80N06S2L11ATMA2 Nákup
IPB80N06S2L11ATMA2 Chip