Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB80N06S2L07ATMA3
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Číslo dílu
IPB80N06S2L07ATMA3
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
210W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9229 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3 Elektronické komponenty
IPB80N06S2L07ATMA3 Odbyt
IPB80N06S2L07ATMA3 Dodavatel
IPB80N06S2L07ATMA3 Distributor
IPB80N06S2L07ATMA3 Datová tabulka
IPB80N06S2L07ATMA3 Fotky
IPB80N06S2L07ATMA3 Cena
IPB80N06S2L07ATMA3 Nabídka
IPB80N06S2L07ATMA3 Nejnižší cena
IPB80N06S2L07ATMA3 Vyhledávání
IPB80N06S2L07ATMA3 Nákup
IPB80N06S2L07ATMA3 Chip