Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
Číslo dílu
IPB65R600C6ATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12964 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB65R600C6ATMA1
IPB65R600C6ATMA1 Elektronické komponenty
IPB65R600C6ATMA1 Odbyt
IPB65R600C6ATMA1 Dodavatel
IPB65R600C6ATMA1 Distributor
IPB65R600C6ATMA1 Datová tabulka
IPB65R600C6ATMA1 Fotky
IPB65R600C6ATMA1 Cena
IPB65R600C6ATMA1 Nabídka
IPB65R600C6ATMA1 Nejnižší cena
IPB65R600C6ATMA1 Vyhledávání
IPB65R600C6ATMA1 Nákup
IPB65R600C6ATMA1 Chip