Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Číslo dílu
IPB60R299CPAATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3
Ztráta energie (max.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52574 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1 Elektronické komponenty
IPB60R299CPAATMA1 Odbyt
IPB60R299CPAATMA1 Dodavatel
IPB60R299CPAATMA1 Distributor
IPB60R299CPAATMA1 Datová tabulka
IPB60R299CPAATMA1 Fotky
IPB60R299CPAATMA1 Cena
IPB60R299CPAATMA1 Nabídka
IPB60R299CPAATMA1 Nejnižší cena
IPB60R299CPAATMA1 Vyhledávání
IPB60R299CPAATMA1 Nákup
IPB60R299CPAATMA1 Chip