IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Číslo dílu
IPB60R165CPATMA1
Výrobce/značka
Série
CoolMOS™
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
192W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36343 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB60R165CPATMA1
IPB60R165CPATMA1 Elektronické komponenty
IPB60R165CPATMA1 Odbyt
IPB60R165CPATMA1 Dodavatel
IPB60R165CPATMA1 Distributor
IPB60R165CPATMA1 Datová tabulka
IPB60R165CPATMA1 Fotky
IPB60R165CPATMA1 Cena
IPB60R165CPATMA1 Nabídka
IPB60R165CPATMA1 Nejnižší cena
IPB60R165CPATMA1 Vyhledávání
IPB60R165CPATMA1 Nákup
IPB60R165CPATMA1 Chip