Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
Číslo dílu
IPB26CNE8N G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
85V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51913 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB26CNE8N G
IPB26CNE8N G Elektronické komponenty
IPB26CNE8N G Odbyt
IPB26CNE8N G Dodavatel
IPB26CNE8N G Distributor
IPB26CNE8N G Datová tabulka
IPB26CNE8N G Fotky
IPB26CNE8N G Cena
IPB26CNE8N G Nabídka
IPB26CNE8N G Nejnižší cena
IPB26CNE8N G Vyhledávání
IPB26CNE8N G Nákup
IPB26CNE8N G Chip