Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Číslo dílu
IPB180P04P4L02ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 410µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
286nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
18700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54816 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB180P04P4L02ATMA1
IPB180P04P4L02ATMA1 Elektronické komponenty
IPB180P04P4L02ATMA1 Odbyt
IPB180P04P4L02ATMA1 Dodavatel
IPB180P04P4L02ATMA1 Distributor
IPB180P04P4L02ATMA1 Datová tabulka
IPB180P04P4L02ATMA1 Fotky
IPB180P04P4L02ATMA1 Cena
IPB180P04P4L02ATMA1 Nabídka
IPB180P04P4L02ATMA1 Nejnižší cena
IPB180P04P4L02ATMA1 Vyhledávání
IPB180P04P4L02ATMA1 Nákup
IPB180P04P4L02ATMA1 Chip