IPB180N08S402ATMA1
MOSFET N-CH TO263-7
Číslo dílu
IPB180N08S402ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
277W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 220µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
167nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5412 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB180N08S402ATMA1
IPB180N08S402ATMA1 Elektronické komponenty
IPB180N08S402ATMA1 Odbyt
IPB180N08S402ATMA1 Dodavatel
IPB180N08S402ATMA1 Distributor
IPB180N08S402ATMA1 Datová tabulka
IPB180N08S402ATMA1 Fotky
IPB180N08S402ATMA1 Cena
IPB180N08S402ATMA1 Nabídka
IPB180N08S402ATMA1 Nejnižší cena
IPB180N08S402ATMA1 Vyhledávání
IPB180N08S402ATMA1 Nákup
IPB180N08S402ATMA1 Chip