Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB180N03S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Číslo dílu
IPB180N03S4L01ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
188W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 140µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
239nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
17600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43166 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB180N03S4L01ATMA1
IPB180N03S4L01ATMA1 Elektronické komponenty
IPB180N03S4L01ATMA1 Odbyt
IPB180N03S4L01ATMA1 Dodavatel
IPB180N03S4L01ATMA1 Distributor
IPB180N03S4L01ATMA1 Datová tabulka
IPB180N03S4L01ATMA1 Fotky
IPB180N03S4L01ATMA1 Cena
IPB180N03S4L01ATMA1 Nabídka
IPB180N03S4L01ATMA1 Nejnižší cena
IPB180N03S4L01ATMA1 Vyhledávání
IPB180N03S4L01ATMA1 Nákup
IPB180N03S4L01ATMA1 Chip