Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB160N08S403ATMA1
MOSFET N-CH TO263-7
Číslo dílu
IPB160N08S403ATMA1
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
208W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
112nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33986 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB160N08S403ATMA1
IPB160N08S403ATMA1 Elektronické komponenty
IPB160N08S403ATMA1 Odbyt
IPB160N08S403ATMA1 Dodavatel
IPB160N08S403ATMA1 Distributor
IPB160N08S403ATMA1 Datová tabulka
IPB160N08S403ATMA1 Fotky
IPB160N08S403ATMA1 Cena
IPB160N08S403ATMA1 Nabídka
IPB160N08S403ATMA1 Nejnižší cena
IPB160N08S403ATMA1 Vyhledávání
IPB160N08S403ATMA1 Nákup
IPB160N08S403ATMA1 Chip