IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Číslo dílu
IPB160N04S3H2ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-7-3
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9600pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21868 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB160N04S3H2ATMA1
IPB160N04S3H2ATMA1 Elektronické komponenty
IPB160N04S3H2ATMA1 Odbyt
IPB160N04S3H2ATMA1 Dodavatel
IPB160N04S3H2ATMA1 Distributor
IPB160N04S3H2ATMA1 Datová tabulka
IPB160N04S3H2ATMA1 Fotky
IPB160N04S3H2ATMA1 Cena
IPB160N04S3H2ATMA1 Nabídka
IPB160N04S3H2ATMA1 Nejnižší cena
IPB160N04S3H2ATMA1 Vyhledávání
IPB160N04S3H2ATMA1 Nákup
IPB160N04S3H2ATMA1 Chip