Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB120N04S3-02
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
Číslo dílu
IPB120N04S3-02
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52664 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB120N04S3-02
IPB120N04S3-02 Elektronické komponenty
IPB120N04S3-02 Odbyt
IPB120N04S3-02 Dodavatel
IPB120N04S3-02 Distributor
IPB120N04S3-02 Datová tabulka
IPB120N04S3-02 Fotky
IPB120N04S3-02 Cena
IPB120N04S3-02 Nabídka
IPB120N04S3-02 Nejnižší cena
IPB120N04S3-02 Vyhledávání
IPB120N04S3-02 Nákup
IPB120N04S3-02 Chip