Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
Číslo dílu
IPB110N20N3LFATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™ 3
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 260µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53313 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB110N20N3LFATMA1
IPB110N20N3LFATMA1 Elektronické komponenty
IPB110N20N3LFATMA1 Odbyt
IPB110N20N3LFATMA1 Dodavatel
IPB110N20N3LFATMA1 Distributor
IPB110N20N3LFATMA1 Datová tabulka
IPB110N20N3LFATMA1 Fotky
IPB110N20N3LFATMA1 Cena
IPB110N20N3LFATMA1 Nabídka
IPB110N20N3LFATMA1 Nejnižší cena
IPB110N20N3LFATMA1 Vyhledávání
IPB110N20N3LFATMA1 Nákup
IPB110N20N3LFATMA1 Chip