IPB110N06L G
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Číslo dílu
IPB110N06L G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 94µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54517 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB110N06L G
IPB110N06L G Elektronické komponenty
IPB110N06L G Odbyt
IPB110N06L G Dodavatel
IPB110N06L G Distributor
IPB110N06L G Datová tabulka
IPB110N06L G Fotky
IPB110N06L G Cena
IPB110N06L G Nabídka
IPB110N06L G Nejnižší cena
IPB110N06L G Vyhledávání
IPB110N06L G Nákup
IPB110N06L G Chip