Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Číslo dílu
IPB10N03LB
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3
Ztráta energie (max.)
58W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1639pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12230 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB10N03LB
IPB10N03LB Elektronické komponenty
IPB10N03LB Odbyt
IPB10N03LB Dodavatel
IPB10N03LB Distributor
IPB10N03LB Datová tabulka
IPB10N03LB Fotky
IPB10N03LB Cena
IPB10N03LB Nabídka
IPB10N03LB Nejnižší cena
IPB10N03LB Vyhledávání
IPB10N03LB Nákup
IPB10N03LB Chip