IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Číslo dílu
IPB107N20NAATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.7 mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25776 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB107N20NAATMA1
IPB107N20NAATMA1 Elektronické komponenty
IPB107N20NAATMA1 Odbyt
IPB107N20NAATMA1 Dodavatel
IPB107N20NAATMA1 Distributor
IPB107N20NAATMA1 Datová tabulka
IPB107N20NAATMA1 Fotky
IPB107N20NAATMA1 Cena
IPB107N20NAATMA1 Nabídka
IPB107N20NAATMA1 Nejnižší cena
IPB107N20NAATMA1 Vyhledávání
IPB107N20NAATMA1 Nákup
IPB107N20NAATMA1 Chip