Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Číslo dílu
IPB100N06S3-03
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
480nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15730 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB100N06S3-03
IPB100N06S3-03 Elektronické komponenty
IPB100N06S3-03 Odbyt
IPB100N06S3-03 Dodavatel
IPB100N06S3-03 Distributor
IPB100N06S3-03 Datová tabulka
IPB100N06S3-03 Fotky
IPB100N06S3-03 Cena
IPB100N06S3-03 Nabídka
IPB100N06S3-03 Nejnižší cena
IPB100N06S3-03 Vyhledávání
IPB100N06S3-03 Nákup
IPB100N06S3-03 Chip