IPB100N04S4H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
Číslo dílu
IPB100N04S4H2ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10467 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1 Elektronické komponenty
IPB100N04S4H2ATMA1 Odbyt
IPB100N04S4H2ATMA1 Dodavatel
IPB100N04S4H2ATMA1 Distributor
IPB100N04S4H2ATMA1 Datová tabulka
IPB100N04S4H2ATMA1 Fotky
IPB100N04S4H2ATMA1 Cena
IPB100N04S4H2ATMA1 Nabídka
IPB100N04S4H2ATMA1 Nejnižší cena
IPB100N04S4H2ATMA1 Vyhledávání
IPB100N04S4H2ATMA1 Nákup
IPB100N04S4H2ATMA1 Chip