Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB09N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Číslo dílu
IPB09N03LAT
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1642pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24819 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB09N03LAT
IPB09N03LAT Elektronické komponenty
IPB09N03LAT Odbyt
IPB09N03LAT Dodavatel
IPB09N03LAT Distributor
IPB09N03LAT Datová tabulka
IPB09N03LAT Fotky
IPB09N03LAT Cena
IPB09N03LAT Nabídka
IPB09N03LAT Nejnižší cena
IPB09N03LAT Vyhledávání
IPB09N03LAT Nákup
IPB09N03LAT Chip