Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Číslo dílu
IPB080N03LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
47W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9297 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB080N03LGATMA1
IPB080N03LGATMA1 Elektronické komponenty
IPB080N03LGATMA1 Odbyt
IPB080N03LGATMA1 Dodavatel
IPB080N03LGATMA1 Distributor
IPB080N03LGATMA1 Datová tabulka
IPB080N03LGATMA1 Fotky
IPB080N03LGATMA1 Cena
IPB080N03LGATMA1 Nabídka
IPB080N03LGATMA1 Nejnižší cena
IPB080N03LGATMA1 Vyhledávání
IPB080N03LGATMA1 Nákup
IPB080N03LGATMA1 Chip