Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB073N15N5ATMA1
MV POWER MOS
Číslo dílu
IPB073N15N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™-5
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.3 mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31351 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB073N15N5ATMA1
IPB073N15N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB073N15N5ATMA1 Odbyt
IPB073N15N5ATMA1 Dodavatel
IPB073N15N5ATMA1 Distributor
IPB073N15N5ATMA1 Datová tabulka
IPB073N15N5ATMA1 Fotky
IPB073N15N5ATMA1 Cena
IPB073N15N5ATMA1 Nabídka
IPB073N15N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB073N15N5ATMA1 Vyhledávání
IPB073N15N5ATMA1 Nákup
IPB073N15N5ATMA1 Chip