Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Číslo dílu
IPB065N06L G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
157nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34804 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB065N06L G
IPB065N06L G Elektronické komponenty
IPB065N06L G Odbyt
IPB065N06L G Dodavatel
IPB065N06L G Distributor
IPB065N06L G Datová tabulka
IPB065N06L G Fotky
IPB065N06L G Cena
IPB065N06L G Nabídka
IPB065N06L G Nejnižší cena
IPB065N06L G Vyhledávání
IPB065N06L G Nákup
IPB065N06L G Chip