IPB05N03LAT
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Číslo dílu
IPB05N03LAT
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
PG-TO263-3-2
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3110pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17981 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB05N03LAT
IPB05N03LAT Elektronické komponenty
IPB05N03LAT Odbyt
IPB05N03LAT Dodavatel
IPB05N03LAT Distributor
IPB05N03LAT Datová tabulka
IPB05N03LAT Fotky
IPB05N03LAT Cena
IPB05N03LAT Nabídka
IPB05N03LAT Nejnižší cena
IPB05N03LAT Vyhledávání
IPB05N03LAT Nákup
IPB05N03LAT Chip