Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Číslo dílu
IPB04N03LB G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5203pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27804 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB04N03LB G
IPB04N03LB G Elektronické komponenty
IPB04N03LB G Odbyt
IPB04N03LB G Dodavatel
IPB04N03LB G Distributor
IPB04N03LB G Datová tabulka
IPB04N03LB G Fotky
IPB04N03LB G Cena
IPB04N03LB G Nabídka
IPB04N03LB G Nejnižší cena
IPB04N03LB G Vyhledávání
IPB04N03LB G Nákup
IPB04N03LB G Chip