Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB04N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Číslo dílu
IPB04N03LB
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 70µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5203pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12587 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB04N03LB
IPB04N03LB Elektronické komponenty
IPB04N03LB Odbyt
IPB04N03LB Dodavatel
IPB04N03LB Distributor
IPB04N03LB Datová tabulka
IPB04N03LB Fotky
IPB04N03LB Cena
IPB04N03LB Nabídka
IPB04N03LB Nejnižší cena
IPB04N03LB Vyhledávání
IPB04N03LB Nákup
IPB04N03LB Chip