Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Číslo dílu
IPB049NE7N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 91µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 37.5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50330 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB049NE7N3GATMA1
IPB049NE7N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPB049NE7N3GATMA1 Odbyt
IPB049NE7N3GATMA1 Dodavatel
IPB049NE7N3GATMA1 Distributor
IPB049NE7N3GATMA1 Datová tabulka
IPB049NE7N3GATMA1 Fotky
IPB049NE7N3GATMA1 Cena
IPB049NE7N3GATMA1 Nabídka
IPB049NE7N3GATMA1 Nejnižší cena
IPB049NE7N3GATMA1 Vyhledávání
IPB049NE7N3GATMA1 Nákup
IPB049NE7N3GATMA1 Chip