Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Číslo dílu
IPB049N08N5ATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 66µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3770pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40526 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB049N08N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1 Elektronické komponenty
IPB049N08N5ATMA1 Odbyt
IPB049N08N5ATMA1 Dodavatel
IPB049N08N5ATMA1 Distributor
IPB049N08N5ATMA1 Datová tabulka
IPB049N08N5ATMA1 Fotky
IPB049N08N5ATMA1 Cena
IPB049N08N5ATMA1 Nabídka
IPB049N08N5ATMA1 Nejnižší cena
IPB049N08N5ATMA1 Vyhledávání
IPB049N08N5ATMA1 Nákup
IPB049N08N5ATMA1 Chip