IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Číslo dílu
IPB048N15N5LFATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™-5
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
313W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 255µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41618 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB048N15N5LFATMA1
IPB048N15N5LFATMA1 Elektronické komponenty
IPB048N15N5LFATMA1 Odbyt
IPB048N15N5LFATMA1 Dodavatel
IPB048N15N5LFATMA1 Distributor
IPB048N15N5LFATMA1 Datová tabulka
IPB048N15N5LFATMA1 Fotky
IPB048N15N5LFATMA1 Cena
IPB048N15N5LFATMA1 Nabídka
IPB048N15N5LFATMA1 Nejnižší cena
IPB048N15N5LFATMA1 Vyhledávání
IPB048N15N5LFATMA1 Nákup
IPB048N15N5LFATMA1 Chip