IPB048N06LGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Číslo dílu
IPB048N06LGATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 270µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17791 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB048N06LGATMA1
IPB048N06LGATMA1 Elektronické komponenty
IPB048N06LGATMA1 Odbyt
IPB048N06LGATMA1 Dodavatel
IPB048N06LGATMA1 Distributor
IPB048N06LGATMA1 Datová tabulka
IPB048N06LGATMA1 Fotky
IPB048N06LGATMA1 Cena
IPB048N06LGATMA1 Nabídka
IPB048N06LGATMA1 Nejnižší cena
IPB048N06LGATMA1 Vyhledávání
IPB048N06LGATMA1 Nákup
IPB048N06LGATMA1 Chip