IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Číslo dílu
IPB042N10N3GATMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
214W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8410pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37450 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IPB042N10N3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1 Elektronické komponenty
IPB042N10N3GATMA1 Odbyt
IPB042N10N3GATMA1 Dodavatel
IPB042N10N3GATMA1 Distributor
IPB042N10N3GATMA1 Datová tabulka
IPB042N10N3GATMA1 Fotky
IPB042N10N3GATMA1 Cena
IPB042N10N3GATMA1 Nabídka
IPB042N10N3GATMA1 Nejnižší cena
IPB042N10N3GATMA1 Vyhledávání
IPB042N10N3GATMA1 Nákup
IPB042N10N3GATMA1 Chip